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用了更好的板材,没想到DDR4却……???

发布时间:2021-08-23 11:22

今天的风儿甚是喧嚣,深南大道上车水马龙,科技园的某栋大厦内,攻城狮雷豹继上次解决了阻抗测试问题后,又做了一个很有意思的项目,背景如下:

某款CPU芯片的DDR4仿真。设计采用的是单面fly-by,一拖九颗粒设计。运行的数据速率为3200Mbps。

手绘结构如下:


169-01.png

看它的结构也是平平无奇,想必是个常规的CASE。


雷豹按部就班,设置层叠,搭建模型,编辑码型-----RUN,先抽取一根地址信号,直接观察信号质量最差的DDR颗粒-U1的眼图和波形:


169-03.png


169-04.png


虽然U1的眼图和波形看起来抖动很大,裕量很小,但距离判决标准的电平还是有一定距离。总而言之,结果是PASS。


作为一个仿真工程师,精益求精是我们一贯秉持的,怎么才能继续优化信号质量?雷豹仔细检查了PCB,考虑了些常规操作,没有太多优化的空间,那果断换成高速板材会不会有改善呢?


Duang的一下,很快哦,就换成了M6g的板材,接着设置好层叠参数,控制好之前相同的阻抗,信号拓扑不变,开始第二轮仿真。

继续观察U1的眼图和波形。


169-06.png

169-07.png

169-10.png

结果最差的点居然碰到了判决标准的电平???你不要过来!


普通损耗的FR4板材信号质量满足要求,换成低损耗的M6g板材却出现了问题。


雷豹挠着头,陷入了沉思…



结合学习的理论知识,雷豹对这两种仿真环境进行了分析,稍微有些眉目。

大致分析原因有以下两点:


第一点:芯片驱动能力太强

仔细看了CPU的IBIS模型,驱动的上升时间很短,上升沿非常陡峭,用IBIS软件查看地址线调用buffer的Rising Waveform可以看到下图:


169-09.png

选取最高电平的20%-80%,Middle模式下的上升时间仅大约56ps,按照以往的经验DDR4信号上升时间大多是在100ps-200ps之间,像56ps这个值附近的还比较少,相比而言,这样信号的上升沿变得陡峭了,也就是信号中有更多的高频分量,在不匹配的通道中也会带来更大的反射。整个拓扑拖的颗粒还比较多,这样导致虽然通道匹配做的还算可以,但地址线的信号质量却不是特别好。


第二点:由于板材的更换,M6g相比较普通FR4而言,DF由0.02变成0.004

损耗值更小,对于反射的衰减程度也是减小了,导致一些反射的能量会比普通板材累积得更多,信号更差的点会加剧变差。仿真是需要把板材损耗这个因素考虑进去的,损耗可以衰减上升沿,衰减反射带来的影响,所以说并不是换了更好的板材,DDR信号质量就更好了,不同的系统环境可能要去做详细的仿真才能确定其信号质量。


以上是地址线出现的问题,另外数据信号则不用过分考虑这个问题,本身是一拖一的结构,又有ODT(On-Die Termination),阻抗不匹配点少,拓扑相对地址稳定,原本跑出来的眼图也有很大的裕量。